MOSFET Canal-N / 200 V / 40 A / 160 W / TO-220AB / Conmutación de Alta Velocidad

MOSFET de canal N fabricado con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics, diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de puerta. Este componente de potencia soporta 200 V y 40 A con disipación de 160 W, resultando adecuado como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados avanzados de alta eficiencia. Su arquitectura optimizada para conmutación de alta velocidad lo posiciona como solución preferente en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y sistemas de gestión energética industrial donde se requieren transiciones rápidas y pérdidas mínimas de conmutación.

Características Generales

• • Tipo: MOSFET Canal-N
• • Voltaje drenaje-fuente (V_DSS): 200 V
• • Corriente continua de drenaje (I_D): 40 A
• • Disipación de potencia: 160 W
• • Proceso de fabricación: STripFET
• • Encapsulado: TO-220AB
• • Aplicación primaria: Interruptor en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia