Features

Rectificación de onda completa en encapsulado de línea
Corriente de sobrecarga de pico de 150 A para protección
Resistencia térmica RθJC de 3.1 °C/W para disipación eficiente
Rango operativo extendido de -55°C a +150°C
Corriente inversa máxima de 5.0 μA a 25°C
Encapsulado compacto para montaje en PCB versátil

Puente rectificador de silicio en configuración de línea para rectificación de onda completa. Diseñado para aplicaciones de potencia con capacidad de 6 A de corriente promedio rectificada y soporta voltajes inversos pico recurrentes de hasta 800 V. El encapsulado compacto permite su integración en fuentes de alimentación, cargadores de batería, variadores de velocidad y equipos de control industrial. Presenta resistencia térmica junction-to-case de 3.1 °C/W que facilita el diseño de sistemas de disipación. Opera en rango de temperatura de -55°C a +150°C para entornos industriales exigentes.

Características Generales

Corriente promedio rectificada: 6.0 A
Voltaje inverso pico recurrente (VRRM): 800 V
Voltaje RMS máximo (VRMS): 560 V
Voltaje DC bloqueo máximo: 800 V
Corriente de pico de sobrecarga (IFSM): 150 A
Corriente cuadrada tiempo (I²t): 93.3 A²/seg
Rango temperatura operación: -55°C a +150°C
Voltaje directo máximo (VF): 1.1 V
Corriente inversa DC máxima (IR): 5.0 μA
Corriente inversa DC a 100°C: 200 μA
Resistencia térmica RθJC: 3.1 °C/W
Resistencia térmica RθJA: 8.6 °C/W
Terminales: planas

Desempeño Eléctrico

Corriente promedio rectificada: 6.0 A
Voltaje inverso pico (VRRM): 800 V
Voltaje RMS máximo: 560 V
Voltaje DC bloqueo: 800 V
Corriente pico sobrecarga (IFSM): 150 A
I²t: 93.3 A²/seg
Voltaje directo máx (VF): 1.1 V
Corriente inversa máx (IR): 5.0 μA
IR a 100°C: 200 μA