Transistor RF de Potencia NPN / 30 MHz / 13.6 Vcc / 4.0 A / 10 W / TO-220AB

Transistor NPN de potencia RF fabricado en silicio, diseñado para aplicaciones de amplificación en alta frecuencia hasta 30 MHz. Ofrece una potencia de salida de 10 W con alta eficiencia energética del 40%, ideal para equipos de comunicación y transmisores en banda HF. Su encapsulado TO-220AB con configuración emisor común facilita la integración en diseños de RF. Soporta corrientes de colector hasta 4.0 A con excelente disipación térmica gracias a su resistencia térmica unión-carcasa de 12.5°C/W.

Características Principales

• Transistor NPN de potencia RF en silicio
• Frecuencia operativa hasta 30 MHz
• Tensión colector-emisor: 13.6 Vcc nominal
• Corriente máxima de colector: 4.0 A
• Potencia de salida: 10 W
• Paquete TO-220AB con configuración emisor común

Especificaciones Técnicas